废气产生/GENERATE

电子半导体芯片生产过程中主要的废气产生点在扩散工序、光刻工序、刻蚀工序、离子注入工序、化学气相沉积（CVD）工序等产生。

废气成分/CHARACTERISTIC

电子半导体芯片生产过程中产生的废气成分主要包括以下几类：

含氟化合物如四氟化碳（CF₄）、六氟乙烷（C₂F₆）、八氟丙烷（C₃F₈）等、氯气（Cl₂）、砷化氢（AsH₃）、磷化氢（PH₃）、硼烷（B₂H₆）、丙酮、丁酮、环己酮、甲基异丁基酮等酮类，以及异丙醇、乙醇等醇类、硫酸雾、硝酸雾、氢氟酸（HF）、盐酸雾等酸性废气，还有氨气等碱性气体。

排放标准/STANDARD

不同地区对于电子半导体芯片废气排放标准有所不同，以下以上海市为例，其在2024年5月1日开始实施的《半导体行业污染物排放标准》（DB31/374-2024）中对相关废气排放做了规定：

 - 大气污染物排放限值： 

- 颗粒物：排放浓度限值为10毫克/立方米。 

- 二氧化硫：排放浓度限值为50毫克/立方米。 

- 氮氧化物：排放浓度限值为100毫克/立方米。 

- 氟化物（以F计）：排放浓度限值为5毫克/立方米。 

- 氯化氢：排放浓度限值为30毫克/立方米。 

- 硫酸雾：排放浓度限值为20毫克/立方米。 

- 非甲烷总烃：排放浓度限值为60毫克/立方米。 

- 挥发性有机物（VOCs）排放限值： 

- 对于半导体制造工艺中使用有机溶剂的工序，如光刻、刻蚀、清洗等，对VOCs的排放进行了严格限制。 

- 不同的工艺和有机溶剂，其具体的排放限值有所不同。例如，对于某些常见的有机溶剂，如丙酮、异丙醇等，其排放浓度限值可能在几十毫克/立方米到几百毫克/立方米不等。 

江苏省的《半导体行业污染物排放标准》（DB32/3747-2020）也可以作为参考。

工艺流程/FLOW PATH

集气罩收集——预处理——中和塔——活性炭吸附——催化燃烧——风机——烟囱

处理方案/PROGRAMME

将化学清洗、光刻、蚀刻、沉积和掺杂等工序产生的废气上方安装集气罩，将废气有效收集，对收集到的废气进行初步处理，去除其中的大颗粒物、油脂等杂质，然后针对酸性气体用喷淋塔加碱中和，处理后的废气进入活性炭吸附设备，利用活性炭的吸附特性来处理净化有机废气，活性炭吸附饱和后，脱附再生，重复利用，脱附后的物质进CO催化炉催化氧化，从而达到最终的净化目的。

吸附设备可采用沸石转轮，对于含砷化氢（AsH₃）、磷化氢（PH₃）、硼烷（B₂H₆）等氢化物的废气，需要采用氧化、还原等反应，将这些有毒的氢化物转化为无害或低毒的物质。

在整个处理过程中，需要对废气的处理效果进行实时监测，包括废气中各种污染物的浓度、流量、温度等参数。